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前世，EUV光刻机的联合研发成功几乎逼近当时人类物理学、材料学以及精密制造的极限，除了光源功率要求极高，透镜和反射镜系统也极致精密，还需要真空环境，配套的抗蚀剂和防护膜的良品率也不高，别说ASmL或Nikon，就算是科技实力世界第一的美国，以一国之力，完全自主制造一台EUV光刻机，比登天还难。
EUV光刻机被称为人类工业皇冠上的明珠！
汤普森院士团队虽然没有研制成功EUV，但研究成果对GcA的光源和光学精密设备的不断改进贡献极大。
由于孙健重生，濒临破产倒闭的GcA浴火重生，重回全球光刻机的龙头企业之一，成为EUV LLc联盟的重要成员，汤普森院士团队专门研究EUV光源7年，取得了不少重要技术成果，EUV LLc联盟研制成功EUV光刻机，肯定不需要15年。
GcA将成为全球唯一生产EUV光刻机的厂家，AtIc将成为最大的受益者，虽然孙健也乐见其成，但以美国人的性格，极有可能让AtIc交出GcA的控股权，严禁出口EUV到中国，这不是重生者愿意看到的结果。
前世被美国技术封锁，举国之力，孙健穿越前没有看到国产EUV光刻机的影子。
经过一年多的努力，bSEc已经研究成功8英寸晶圆、250nm制程工艺的光刻机，正在抓紧时间研制180nm制程工艺的光刻机。
制程工艺不断突破对bSEc来说都是突飞猛进的进步，但同Nikon和GcA相比，还有2代技术差距，没有大肆宣传，避免被仇视中国的美国国会议员盯上。
不到10年时间，从4代技术差距缩短到2代，bSEc的管理层和技术人员都尽力了。
孙健知道，要是没有65nm制程工艺这道难关挡在光刻机业界的前面，有他出钱出力，bSEc在15年内也很难赶上光刻机技术实力雄厚的GcA和Nikon。
连李昌杰都不知道，bSEc研究院院长邓国辉院士和所长钱富强研究员率领光源研究所的140多名研发人员，经过2年半的潜心研究，有孙健不断“点拨”，终于在去年7月研制成功浸没式光刻系统技术，ArF激光器发射的193nm光源通过纯净水的折射，得到了波长134nm的光源，解决了业界遇到的193nm波长的世界级难题，还没有申请公司发明专利，秘而不宣。
只能委屈钱富强和140多名研发人员了。
研究员钱富强凭借主持研发成功浸没式光刻系统技术，攻克这项光刻机光源上的世界级难题，凭借这一世界级的重大科研成果，就能申请工程院院士。
邓国辉和钱富强从去年8月开始立项，bSEc投资1亿元，带领光源研究所，静下心来开始研发EUV。
作为上市公司，bSEc发布公告，投资1亿元继续研究193nm波长的世界级难题。
即使能得到蔡司公司最先进的透镜和反射镜系统，有资金支持，孙健也怀疑bSEc研究院在20年内能否研制成功EUV光刻机？
停止研究也不可能买到EUV光刻机，20年不行，30年！
“李总，布罗迪先生，余总已经拿到美国商务部的同意文件，我们明天前往美国，180nm制程工艺的半导体生产线的基建要加快进度，增加人手，保证11月底完工。”
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