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“各位董事，要是EUV LLc联盟在未来二年内从理论上证明研制EUV光刻机的技术可行，将这个宝贵的机会和重任交给GcA，公司不可能放弃，但投资巨大，半导体产业陷入衰退又不可避免，避免两线作战，造成资金捉襟见肘，我们只能将重心放在EUV光刻机的研制上。我建议艾德里安先生和汤普森院长出面找SVG商谈，联合开发157nm激光器。”
孙健估计，EUV LLc联盟在明年底前就能证明制造EUV光刻机在理论上的可行性，但EUV光刻机量产最起码还需要10年，如今也不能告诉大家，到时由bSEc免费提供193nm浸没式光刻机专利技术给GcA。
bSEc是在GcA拥有的第一代193nmArF准分子激光器专利技术基础上研发成功193nm浸没式光刻机技术，核心还是GcA拥有技术专利的193nm准分子激光器，GcA研制的第二代、第三代193nm准分子激光器也授权bSEc技术；虽然浸没式光刻技术属于bSEc重新开发的公司发明专利，但按照当初签订的专利技术授权转让合同，要免费授权给GcA使用，就像GcA去年研发成功的第三代（12英寸晶圆、90nm制程工艺）磁悬浮式双工作台系统，专利还是属于bSEc，授权GcA免费使用。
1.5um-800nm制程工艺的光刻机配套6英寸晶圆，500nm-180nm制程工艺光刻机配套8英寸晶圆，90nm以下的都配套12英寸晶圆，相配套的磁悬浮工作台系统分别称为第一代、第二代、第三代，一代中还有子代，核心技术还是bSEc拥有公司发明专利的第一代。
GcA研发成功第二代、第三代磁悬浮式双工作台系统通过夏季常院士领导的光刻机自动化研究所改进后，青出于蓝而胜于蓝，返还GcA使用，授权其他光刻机公司升级。
bSEc光刻机自动化研究所将来研制为12英寸晶圆、65nm制程工艺浸没式光刻机配套的磁悬浮式双工作台系统将称为第四代，10nm称为第五代、7nm称为第六代……bSEc拥有的磁悬浮式双工作台系统的公司发明专利不会失效。
两家公司虽然都是孙健控股，手背手心都是肉，但严格按照两国法律办事，不会留下被人攻击的把柄。
以GcA如今的江湖地位、财力和技术实力，愿意同SVG联合开发157nm激光器，对双方都有利，如何说服papken同意就不是孙健关心的事了。
“好的，董事长！”
“好的，董事长！”
孙董事长同意两条腿走路，艾德里安和汤普森放心了，他俩有信心说服papken。
其他董事也露出笑容。
孙健也没办法说服公司高层放弃研究157nm激光器，只能折中。
1999年财报显示，SVG的销售收入只有2.7亿美元，不到GcA的5%，157nm激光器技术路线在前世已被证明没有远大前途，孙健不能明说，也说不清楚，正好借这次董事会的机会否决了GcA高层打算投资10亿美元收购SVG的意向。
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